SPP11N65C3XKSA1

产品描述

MOSFET

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数量:521

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美国加州
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规格书
安装风格	Through Hole
配置	Single
典型关闭延迟时间	44 ns
最低工作温度	- 55 C
源极击穿电压	20 V
连续漏极电流	11 A
系列	SPP11N65
封装/外壳	TO-220-3
RDS（ON）	380 mOhms
封装	Tube
功率耗散	125 W
商品名	CoolMOS
正向跨导 - 闵	8.3 S
栅极电荷Qg	45 nC
零件号别名	SP000681046
上升时间	5 ns
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	650 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	5 ns
工厂包装数量	500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
晶体管极性	N-Channel
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
宽度	4.4 mm
Qg - Gate Charge	45 nC
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
晶体管类型	1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current	11 A
长度	10 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	380 mOhms
身高	15.65 mm
典型导通延迟时间	10 ns
Pd - Power Dissipation	125 W
技术	Si

型号	厂家	产品描述
SPP11N65C3	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220
SPP11N65C3HKSA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220
SPP11N65C3XK	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220
SPP11N65C3XK	rochester electronics
SPP11N60C3	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220
SPP11N60C3HKSA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220
SPP11N60C3XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET
SPP11N60CFD	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP11N60CFDHKSA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP11N60CFDXKSA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP11N60S5	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220
SPP11N60S5HKSA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220
SPP11N60S5XKSA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220
SPP11N80C3	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
SPP11N80C3XKSA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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